RTP快速退火爐，半導(dǎo)體工藝快速熱處理設(shè)備

RTP快速退火爐，快速熱處理設(shè)備（RTP）簡介
    快速熱處理設(shè)備（RTP）可用于砷化鎵、硅以及其他半導(dǎo)體材料，離子注入后的退火、硅化物的形成、歐姆接觸制備以及快速氧化、快速氮化等方面。RTP快速退火爐，快速熱處理設(shè)備（RTP）具有快速升降溫、慢速升降溫、和長工作時間穩(wěn)定等特點(diǎn)。也可用于各種半導(dǎo)體材料的CVD工藝的熱處理。
RTP快速退火爐，快速熱處理設(shè)備（RTP）主要技術(shù)指標(biāo)
　　l、外形尺寸：550×650×650mm（長×寬×高）
　　2、爐內(nèi)體尺寸：327×249×123mm（長×寬×高）
　  3、工作室采用進(jìn)口GE石英，外徑尺寸：290×230×24mm（長×寬×高）；表面進(jìn)行磨砂處理
　　4、不銹鋼反應(yīng)室上下反射面聚焦設(shè)計(jì)，內(nèi)表面采用鍍金處理，減小熱損失，極大提高了反射效率
　　5、水冷卻，確保燈箱散熱與快速降溫
　　6、風(fēng)扇冷卻保證加熱燈的冷卻
　　7、zui大溫度范圍150℃—1000℃，K型熱電偶
　　8、升溫速率：0.01—100℃/s可預(yù)設(shè)定
　　9、氣體：兩路美國進(jìn)口浮子流量計(jì)控制，流量：0—5L/min
　　10、采用歐陸2604高精度溫控儀控制溫度
　　11、快速熱處理設(shè)備（RTP）可編程多條溫度曲線
　　l2、雙閉環(huán)控制溫度，穩(wěn)態(tài)溫度穩(wěn)定性±1℃
　　l3、光源：1200W×21只鹵鎢燈
　　l4、電源：AC380V；63A三相
　　l5、有效加熱區(qū)：180×180mm
　　l6、石英承片架Ф160mm；配6英寸硅片承片板