前烘潔凈烘箱，軟烘充氮烘箱涂膠后，晶片須經過一次烘烤，稱之軟烘或前烘。工藝作用是除去膠中大部分溶劑并使膠的曝光特性固定。通常，軟烘時間越短或溫度越低會使得膠在顯影劑中的溶解速率增加且感光度更高。
前烘潔凈烘箱，軟烘充氮烘箱潔凈度100級的潔凈熱處理HEPA過濾器與前出風型水平層流循環方式實現并保證箱內的溫度分布的均勻性與100級潔凈度。zui小限度控制風速距離。為獲得平坦而均勻的光刻膠涂層并使光刻膠與晶片之間有良好的黏附性，通常在涂膠前對晶片進行預處理。預處理*步常是脫水烘烤，在真空或干燥氮氣的機臺中，以150～200℃烘烤。工藝目的是除去晶片表面吸附的水分，在此溫度下，晶片表面大約保留了一個單分子層的水。
前烘潔凈烘箱，軟烘充氮烘箱涂膠后，晶片須經過一次烘烤，稱之軟烘或前烘。工藝作用是除去膠中大部分溶劑并使膠的曝光特性固定。通常，軟烘時間越短或溫度越低會使得膠在顯影劑中的溶解速率增加且感光度更高，但對比度會有降低。實際上軟烘工藝需要通過優化對比度而保持可接受感光度的試湊法用實驗確定，典型的軟烘溫度是90～100℃，時間從用熱板的30秒到用烘箱的30分鐘。
在晶片顯影后，為了后面的工藝，如離子注入和等離子體刻蝕，也須對晶片進行高溫烘烤，稱之后烘或硬烘。這一工藝目的在于：減少駐波效應；激發化學增強光刻膠PAG產生的酸與光刻膠上的保護基團發生反應并移除基團使之能溶解于顯影液。
JS-DHB180B無塵烘箱系用于半導體制造中硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃等材料涂膠前的預處理烘烤、涂膠后堅膜烘烤和顯影后的高溫烘烤，強制送風循環方式。雙風道循環結構，溫度場分布均勻，智能P.I.D溫控系統，得到高精度溫度控制。
特點：
1.在普通環境下使用，能夠確保烘箱內部等級達到Class 100；
2.全周氬焊，耐高溫硅膠破緊，SUS304#不銹鋼電熱生產器，防機臺本身所產生微塵；
3.采平面水平由后向前送風熱風循環系統，風源由循環馬達運轉帶動風輪經電熱器，將熱風由風道送至烤箱內部，且將使用后空氣吸入風道成為風源再度循環加熱，省電節能溫度均勻性好，過濾效率99.99%，Class 100；
4.強制送風循環方式。雙風道循環結構，溫度場分布均勻，智能P.I.D溫控系統，得到高溫度控制精度。
技術參數：
無塵等級：Class 100;
溫度范圍： 60～ +300℃；
溫度均勻度：200℃±2℃;
溫度波動度：±0.5℃（空載）
溫控精度：±0.1℃;
工作尺寸：600×600×500mm
電源：380v , 50Hz，10KW
網板：2塊（高度可調節)
